PECVD系统

在化合物半导体和硅器件的制造领域,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统用于沉积绝缘层和钝化膜。莎姆克公司PECVD系统可以沉积高质量的硅基薄膜(SiO2, SiNx, SiOxNy, a-Si:H)。阳极PECVD系统用于高质量的薄膜沉积,阴极PECVD系统可实现高速率的沉积,可根据客户工艺要求选择合适机型。

阳极PECVD系统

 

· 多系统阵容,用于科研和生产
· 可处理高达450mm的晶圆
· 可用载盘批量处理
· 低等离子体损伤
· 沉积均匀性高

 

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阴极PECVD系统

 

· 低温沉积
· 良好的覆盖率
· 可控的薄膜应力
· 沉积速度快
· 可控的薄膜湿法腐蚀速率

 

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ALD系统

随着半导体加工技术的发展,为提高器件性能,原子尺寸工艺的时代正在到来。莎姆克ALD系统可用于各种器件的原子层厚度沉积,特别在下代功率器件和纳米器件。该系统可沉积多种材料,对高深宽比器件有很高的膜厚控制。

 

· 多系统阵容,用于科研和生产
· 可处理高达8寸的晶圆
· 腔体温度可加热到500度
· 高速的气体切换
· 气体源消耗少

 

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