PECVD系统用于SiO2, SiN, a-Si & DLC的薄膜沉积

莎姆克 > 沉积系统 > 阳极PECVD系统

PECVD – 等离子增强化学气相沉积

PECVD是一种等离子薄膜沉积技术。与广泛用于半导体器件制造的其他沉积技术,如PVD和热CVD相比,PECVD可以在相对较低的温度(小于350℃)下沉积出高均匀性薄膜。此外,对于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉积,等离子沉积技术提供了优秀的薄膜性能控制(折射率、硬度等)。


直开式阳极 PECVD系统

直开式阳极 PECVD系统

莎姆克公司的PD-220NR, PD-3800, PD-4800 和 PD-5400都是直开式等离子增强化学的气相沉积(PECVD)系统。它们可沉积各种薄膜例如SiO2, Si3N4, SiOxNy, a-Si:H 和 DLC(类钻碳)。该系统是全自动的,反应室上装有通风柜,提高操作人员的安全。PD-220NR, PD-3800, PD-4800 和PD-5400可满足科研和生产客户苛刻的工艺要求。

请求产品信息

真空搬送式阳极PECVD系统

真空搬送式阳极PECVD系统

PD-220NL和PD-3800L都带有一个沉积腔体和一个独立的装片腔体。增加的真空锁装置可使反应室常保持在真空的环境下。可控的腔体环境改善了工艺的重复性。当使用掺杂气体时,通常需要使用真空搬送系统。

该系统包含了直取式所有的特点。PD-220NL增加了一个表面处理过的保护壁板,在装片时,保护壁板升起。这种装置保护了阀门的密封环境,延长了清洗间隔,也提高了均匀性。

请求产品信息

片盒式阳极PECVD系统

片盒式阳极PECVD系统

真空装片系统通常用在当工艺过程需要可控的环境。在这种配置中,沉积腔体与带真空机械手的传送室连接,之后与带真空装片升降机的装片盒相连。PD-220LC是一款8”单片(或220mm内多片)的装片式PECVD,它包含了真空锁式机型的所有特性。对于高产量客户,这款设备是一个理想选择,可实现月产10000片2”晶片。

请求产品信息

工艺实例

极高的SiNx覆盖率

极高的SiNx覆盖率

在铝线上沉积液态源SiNx的覆盖率

在铝线上沉积液态源SiNx的覆盖率

规格表

直开式阳极PECVD系统 真空锁式阳极PECVD 装片式阳极PECVD系统
装片 直开式 真空锁式 真空装片式
晶圆取放方式 手动 直线机械手 真空机械手
样片大小 220/360/428/540 mm 220/350 mm 220 mm
卡盘温度范围 20~400°C
高达 8路工艺气体,可选液态源
基础真空 增压泵+旋转泵 基础压力 涡轮泵,增压泵+旋转泵
RF功率 300 W, 可选低频式(LF)
系统控制 简单易操作的触摸屏
终点检测选项 光学终点检测
系统特点 单片晶圆 或 批量处理 单片晶圆 或 批量处理 高级内衬板

系统特点

机械手和片盒腔体

机械手和片盒腔体

先进的机器晶片取放系统以及装片装置可极大提高产量。

高级内衬板

高级内衬板

反应室内的防护板可以控制等离子体放电范围,提高沉积均匀性。此外,它可以防止薄膜沉积在不易用等离子清洗程序清洗的反应腔内壁。此外,它可以防止在清洗过程中闸板阀内密封圈的损伤。

片盒式阳极PECVD系统

大反应室系统

能够加工高达300/450毫米样品或批量的多个小样品。

良好的工艺控制

良好的工艺控制

可控的薄膜性能可满足器件制造的各种要求。

良好的工艺重复性

良好的工艺重复性

工艺的可重复性会提高器件的质量和可靠性。

客户证明

莎姆克公司的PECVD系统用于以下先进材料研究和器件制造的客户:

中国科技大学

东京工业大学

美国新墨西哥大学

寻找更多的信息或产品支持?

与我们联系!

与我们联系