PECVD – 等离子增强化学气相沉积

PECVD是一种等离子薄膜沉积技术。与广泛用于半导体器件制造的其他沉积技术，如PVD和热CVD相比，PECVD可以在相对较低的温度（小于350℃）下沉积出高均匀性薄膜。此外，对于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉积，等离子沉积技术提供了优秀的薄膜性能控制（折射率、硬度等）。

直开式阳极 PECVD系统

莎姆克公司的PD-220NR, PD-3800, PD-4800 和 PD-5400都是直开式等离子增强化学的气相沉积(PECVD)系统。它们可沉积各种薄膜例如SiO2, Si3N4, SiOxNy, a-Si:H 和 DLC（类钻碳）。该系统是全自动的，反应室上装有通风柜，提高操作人员的安全。PD-220NR, PD-3800, PD-4800 和PD-5400可满足科研和生产客户苛刻的工艺要求。

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真空搬送式阳极PECVD系统

PD-220NL和PD-3800L都带有一个沉积腔体和一个独立的装片腔体。增加的真空锁装置可使反应室常保持在真空的环境下。可控的腔体环境改善了工艺的重复性。当使用掺杂气体时，通常需要使用真空搬送系统。

该系统包含了直取式所有的特点。PD-220NL增加了一个表面处理过的保护壁板，在装片时，保护壁板升起。这种装置保护了阀门的密封环境，延长了清洗间隔，也提高了均匀性。

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片盒式阳极PECVD系统

真空装片系统通常用在当工艺过程需要可控的环境。在这种配置中，沉积腔体与带真空机械手的传送室连接，之后与带真空装片升降机的装片盒相连。PD-220LC是一款8”单片（或220mm内多片）的装片式PECVD，它包含了真空锁式机型的所有特性。对于高产量客户，这款设备是一个理想选择，可实现月产10000片2”晶片。

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极高的SiN_x覆盖率

在铝线上沉积液态源SiN_x的覆盖率

机械手和片盒腔体

先进的机器晶片取放系统以及装片装置可极大提高产量。

高级内衬板

反应室内的防护板可以控制等离子体放电范围，提高沉积均匀性。此外，它可以防止薄膜沉积在不易用等离子清洗程序清洗的反应腔内壁。此外，它可以防止在清洗过程中闸板阀内密封圈的损伤。

片盒式阳极PECVD系统

能够加工高达300/450毫米样品或批量的多个小样品。

良好的工艺控制

可控的薄膜性能可满足器件制造的各种要求。

良好的工艺重复性

工艺的可重复性会提高器件的质量和可靠性。