PECVD系统 – SiO2/SiNx快速沉积

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直开式
阴极PECVD系统

直开式阴极PECVD系统

莎姆克公司的PD-100ST 和PD-270STPM都是直开式阴极等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。使用液态源如TEOS,能在低温工艺高速沉积薄膜。强大的自偏压电场在阴极耦合样品台上产生了高能离子,这样沉积的SiO2薄膜应力小,薄膜厚度高达50 µm.
这些系统是全自动的,反应室上有安装通风柜,以增加操作人员的安全。PD-100ST 和 PD-270STPM可适合于科研和生产。

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真空搬送式
阴极PECVD系统

真空搬送式阴极PECVD系统

PD-270STL和PD-330STL都是先进的真空搬送式PECVD,带有一个沉积腔体,一个真空装片腔,和一个内置通风柜的大气环境的装载室。增加的真空装片腔可使沉积腔常处于真空环境中,可控的环境提高了工艺的重复性。

该系统包含了直开式PECVD所有特点。PD-220NL增加了一个表面经过处理的保护壁板,在装片时,保护壁板升起。这种装置保护了阀门的密封环境,延长了清洗间隔,也提高了均匀性。

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装片式
阴极PECVD系统

装片式阴极PECVD系统

真空装片系统通常用于工艺中需要可控的环境。在这种配置中,沉积腔与装有真空机械手的装片室连接,并与装有真空装片升降机的装片室相连。PD-270STLC 和 PD-330STLC都是装片式PECVD系统,它包含了真空搬送式平台的所有特点。是单片量产或批量片盒量产的理想选择。

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工艺实例

铜线上无分层的TEOS-SiO2均匀沉积层

铜线上无分层的TEOS-SiO2均匀沉积层

形成25 µm厚的SiO2包覆

形成25 µm厚的SiO2包覆

铝线上沉积300nm的SiH4-SiO2钝化层

铝线上沉积300nm的SiH4-SiO2钝化层

规格表

直开式阴极PECVD系统 真空搬送式阴极PECVD系统 装片式阴极PECVD系统
装片 直开式 真空锁式 真空装片式
晶圆取放方式 手动 直线机械手 真空机械手
样片大小 220/360/428/540 mm 220/350 mm 220 mm
卡盘温度范围 20~400°C
高达 4路工艺气体 + 液体输送模块
基础真空 基础压力涡轮泵 增压泵 + 旋转泵
RF功率 300 W/1 KW 1 KW/1.5 KW
系统控制 简单易操作的触摸屏
终点检测选项 光学终点检测
系统特点 单片晶圆 或 批量处理 单片晶圆 或 批量处理 高级内衬板

系统特点

机械手和装片腔体

机械手和装片腔体

最先进的机械手和装片装置可提高产量。

高级内衬板

高级内衬板

反应室内的防护板可以控制等离子体放电范围,提高沉积均匀性。此外,它可以防止薄膜沉积在不易用等离子清洗程序清洗的反应腔内壁。此外,它可以防止在清洗过程中闸板阀内密封圈的损伤。

片盒式阳极PECVD系统

大反应室系统

能够加工高达300/450毫米样品或批量的小样品。

良好的工艺控制

FOUP组件

可选的FOUP组件可增加产量。

过程的可控性

过程的可控性

自偏压和薄膜的硬度

薄膜性能包括薄膜的硬度、折射率、湿法腐蚀速率等可以通过调整工艺参数来控制。

过程的可重复性

过程的可重复性

连续处理10批的工艺显示,TEOS-SiO2膜厚度变化低于±1.5%。

客户证明

莎姆克公司阴极PECVD系统用于纳米器件的制造,客户有:

大阪大学

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