ICP刻蚀系统,用于SiC功率器件的等离子刻蚀

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产品阵容

碳化硅(SiC)是一种具有宽禁带,高击穿电场和高热导率的化合物半导体材料。该材料有望成为下一代功率器件和微波集成电路(MMIC)的衬底材料。
莎姆克公司的ICP刻蚀系统专业用作SiC 功率器件和MMIC芯片工艺中SiO2掩膜的制作和SiC的刻蚀。

直开式ICP刻蚀系统

RIE-600iP

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Load-lock型ICP刻蚀系统

RIE-600iPC

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工艺实例

SiC沟槽的刻蚀

SiC沟槽的刻蚀
底部无微沟槽
刻蚀速率:775 nm/min
刻蚀选择比:13.4(对SiO2掩膜)

SiC通孔的刻蚀

SiC通孔的刻蚀
刻蚀深度:89.2 µm
刻蚀速率:1 µm/min
刻蚀选择比:95(对Ni掩膜)
晶圆温度:低于150°C

二氧化硅各向异性刻蚀,用于掩模制作

二氧化硅各向异性刻蚀,用于掩模制作
刻蚀深度:6.5 µm
刻蚀速率:325 nm/min

规格表

真空搬送式ICP刻蚀系统 真空装片式ICP刻蚀系统
装片 真空搬送式 真空装片式
晶圆取放方式 直线机械手 真空机械手
样品尺寸 100/150/200 mm
卡盘类型 高压静电吸盘,背面氦气冷却

高度可调的电极
排气形式 高速轴向排气
真空系统 分子泵加旋转初抽泵
工艺气路 多至8路气体
ICP 功率 3 KW平面ICP线圈
自偏压功率 600/1000/3000 W
系统控制 简单易操作的触摸屏
终点检测选项 光学/干涉终点检测仪
应用 SiC高速刻蚀,用作沟槽和通孔的制造

二氧化硅的高速刻蚀,用于掩模、波导和微通道的制造

系统特点

独特优化的ICP线圈

平面ICP线圈

新研制的ICP线圈可在低气压下进行等离子体高密度稳定放电,用于碳化硅高速率刻蚀。

平面ICP线圈

高排气速度的真空泵

高排气速度真空泵可使SiC刻蚀在低气压或高气压,低气流或高气流条件下。

高度可调电极

高度可调节的电极

高度可调的下电极(气动调节),能使晶圆和ICP等离子体源距离优化,从而获得更好的刻蚀均匀性。

易于维护的设计

TMP

可移动的分子泵(TMP),缩短维护时间。

装片式和机械手

装片式和机械手

最多可处理25片6寸晶圆。

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