直开式ICP刻蚀系统
RIE-10iP是直开式的ICP刻蚀系统，主要使用F基工艺气体。此型号设备中，样品是直接放到打开的反应室基座上，基座通过冷却水冷却。
系统特色;
电脑化的触摸屏提供友好的用户界面，包括数据控制和工艺储存。
全自动“一键”操作或全手动操作。
反应室为对称排气设计，与涡轮分子泵直连后实现了高效均匀的排气。近距离的气体控制箱有利于减少气体在输气管道中停留时间。
1 KW龙卷风 ICP
机械卡盘，背面氦气冷却。
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Load-lock型ICP刻蚀系统
Load-lock型ICP有一个反应腔，并配有一个单独的传片室。增加的传片室使得反应腔能保持真空环境。这种可控环境提高了工艺的重复性。并且当使用腐蚀性或有毒气体，如氯基气体，或当刻蚀副产品有害时，传片室就是必须配置了。
RIE-200iP, RIE-330iP, RIE-400iP and RIE-600iP都为高精度的ICP刻蚀系统，可以用来刻蚀各种半导体、绝缘体和金属薄膜。它们包含直开式ICP的所有性能，并可通过增加其他选项来刻蚀特殊材料。
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大气Cassette型
ICP刻蚀系统
对于氟基或某些有机气体，在反应室外增加的Cassette可以有效提高设备产能。
RIE-100iPC就是一款带单个或两个cassette的ICP刻蚀系统，并配有机械手和晶圆对准器。机械手使用真空吸力，可实现晶圆高速传输，对准工作站则保证了装片的精度。
在这种结构中，反应室能迅速放气并卸片，然后装取新的晶圆。在反应腔阀门关闭后，腔体被泵抽到工艺压力，工艺完成后，循环重复。
RIE-100iPC具有直开式ICP的所有性能特点。可选择增加ESC卡盘，提高工艺过程中的散热效率。
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真空Cassette型
ICP刻蚀系统
真空cassette型系统通常用于工艺过程需要可控的环境，或有腐蚀性/有毒气体如氯气，或当刻蚀副产品有害时。在这种配置中，反应室连接到配有真空机器手臂的传送室，再连接到配有真空Cassette提升机的装片室。
RIE-200iPC, RIE-330iPC 和RIE-600iPC都是真空Cassette型的高精度ICP刻蚀系统，可以用来刻蚀各类半导体、绝缘和金属薄膜。它们包含直开式ICP的所有性能，并可增加的可选项来满足刻蚀特殊的材料。
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InP的各向异性刻蚀，可用作光波导
AlGaAs的刻蚀，可用作垂直腔面发射激光器
GaAs基板的晶片切割
独特的龙卷风线圈
三维结构线圈产生高密度等离子体，能对整个晶片纳米结构实现高均匀性刻蚀。
平面ICP线圈
可产生高密度的等离子，适用于高功率、高速等离子刻蚀。
锥形ICP线圈
适用于在较低压力下稳定等离子放电，可在低温环境中实现低损伤的等离子刻蚀，并且工艺过程具有良好可靠性和重复性。
SSTC线圈
自动匹配单元作为内部和外部线圈的功率分配器，实现了高均匀性的大面积刻蚀。
高度可调节的电极
高度可调的下电极（气动控制）可以优化晶圆和ICP等离子体源之间的距离，从而实现更高的刻蚀均匀性。
对称的排气设计
提升了在晶圆上刻蚀的均匀性和工艺可重复性。
