桌面型RIE系统
莎姆克公司的RIE-1C机型是一款半自动直开式RIE等离子刻蚀系统，占地面积小。非常适用于科研和IC失效分析，它只占用很小的桌面空间。一旦刻蚀参数设置好，按下开始按钮，系统将自动开始抽气，进工艺气体，射频源开启，腔体排气等程序。运行完成后发出声音信号。
RIE-1C门互锁装置和复位开关保证了操作人员和设备的安全。手动射频匹配器和节流阀消除了潜在的系统故障，并降低运行成本。
按照标准，这种紧凑型系统可放置一片4寸晶片或小芯片、封装器件。也可选升级到6寸的基板。射频发生器和真空泵可放置在主机下的小型箱体内。
请求产品信息
直开式RIE系统
直开式的系统需要操作员先将反应室充大气，然后手动将样品放在基座上。莎姆克公司RIE-10NR，RIE-300NR和RIE-480NR都是全自动直开式反应离子刻蚀系统，分别可放置8”，300mm，或者450mm大小的基板。这些系统主要是为了满足了研究和生产客户使用F基气体进行化学刻蚀。
电脑化的触摸屏提供友好的用户界面，包括数据控制和工艺储存。全自动“一键”操作或全手动操作。反应室与分子泵对称的排气设计创造了高效的真空流。气体控制箱靠近反应室，有利于减少气体在输气管道中停留时间。优化的气体喷淋头，能均匀地输送工艺气体。这些独特的设计使等离子体蚀刻系统具有大的工艺窗口，良好的工艺控制和均匀性。
请求产品信息
真空搬送式RIE系统
真空搬送式RIE 系统有一个反应腔和一个单独的传片室。增加的传片室使得反应腔能保持真空环境，这种可控环境提高了工艺的重复性。并且当使用腐蚀性或有毒气体，如氯基气体，或当刻蚀副产品有害时，传片室也是必需配置。
RIE-200NL是一款真空搬送式高精度反应离子刻蚀系统，可以用来刻蚀各类半导体、绝缘体和金属薄膜。它包括直开式设备的所有功能，并额外在反应室内加装了表面处理的保护壁板。当装载样品，保护壁板升起。这种装置保护了阀门的密封，同时提高了均匀性。
请求产品信息
大气Cassette型
RIE刻蚀系统
使用氟基或某些有机气体时，在反应室外增加的片盒可以有效提高设备产能。
The RIE-100C和RIE-200C都是带单个或两个片盒的反应离子刻蚀系统，并配有机械手和晶圆对准器。机械手使用真空吸力，可实现晶圆高速传输，对准工作站则保证了装片的精度。
在这种结构中，反应室能迅速放气并卸片，然后装取新的晶圆。在反应腔阀门关闭后，腔体被泵抽到工艺压力，工艺完成后，循环重复。RIE-100C 和RIE-200C具有直开式平台所有性能特点。可选择增加ESC卡盘，提高工艺过程中的散热效率。
请求产品信息
真空Cassette型
RIE刻蚀系统
当工艺过程需要可控的环境，或有腐蚀性/有毒气体如氯气，或当刻蚀副产品有害时，就需要真空装片盒型系统。在这种配置中，反应室连接到配有真空机械手臂的传送室，再连接到配有真空装片盒提升机的装片室。
RIE-200LC是装片盒式反应离子刻蚀系统。RIE-200LC可用作各种类型的半导体材、绝缘体和金属薄膜的各向异性的刻蚀，由于无需将反应室充放大气可实现连续刻蚀。它包含直开式平台的所有功能，并额外加装反应室内壁保护板，是一种表面经过处理的金属板。装载样片时，升起保护板。这种装置保护了阀门的密封，同时提高了均匀性。可选择增加ESC卡盘，提高工艺过程中的散热效率。
请求产品信息
硅纳米柱图形（~20 nm宽）双栅MOS工艺
由AIST提供图片
InP衬底上SiO2的异向性刻蚀，用于图形化掩模
IC芯片层中5层Al线
硅纳米柱图形（~20 nm宽）双栅MOS工艺
由AIST提供图片
InP衬底上SiO2的异向性刻蚀，用于图形化掩模
IC芯片层中5层Al线
机械手和片盒腔体
先进的机器晶片取放系统以及装片装置可极大提高产量。
高级内衬板
反应室内的防护板可以控制等离子体放电范围，提高沉积均匀性。此外，它可以防止薄膜沉积在不易用等离子清洗程序清洗的反应腔内壁。此外，它可以防止在清洗过程中闸板阀内密封圈的损伤。
片盒式阳极PECVD系统
能够加工高达300/450毫米样品或批量的多个小样品。
良好的工艺控制
可控的薄膜性能可满足器件制造的各种要求。
良好的工艺重复性
工艺的可重复性会提高器件的质量和可靠性。
