设备ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP

RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。

龙卷风线圈电极

　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。

低损伤工艺

　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。

温度控制

　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。

GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料、电极材料等难蚀材料的加工。