原子层沉积(ALD)
原子层沉积(ALD)是一种薄膜生长技术，能够为电子器件(电源和射频)沉积无针孔和均匀的绝缘体薄膜。ALD在高长宽比沟槽和通孔结构上提供了优异的保形性，在角级的厚度控制，以及基于连续、自限性反应的可调整薄膜成分。Samco提供高度灵活的开放式热ALD系统AL-1和负载锁定等离子体增强ALD系统AD-230LP。
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等离子体强化的ALD设备 AD-230LP
卓越的重复性和稳定性
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热ALD设备 AL-1
无针孔薄膜沉积
