设备等离子体强化的ALD设备 AD-800LP

AD-800LP 是一款先进的负载锁定式原子层沉积 (ALD) 系统，专为实现对薄膜厚度的原子级精确控制而设计。该系统集成了热 ALD 和等离子体增强 ALD 两种沉积模式，从而能够沉积多种关键材料，包括氧化物、氮化物和导电薄膜，满足不同应用的需求。 该系统通过将有机金属前体和氧化剂交替引入反应腔室，确保沉积过程完全通过表面反应进行。这种精密的沉积机制不仅赋予了 AD-800LP 对薄膜厚度的出色控制能力，更保证了卓越的晶圆平面内均匀性和优异的阶梯覆盖性能。此外，系统采用的脉冲前体输送技术，其脉冲持续时间短至数百毫秒甚至更短，这显著地减少了前体材料的损耗，并大幅提升了沉积效率。 AD-800LP 采用载盘传输系统，使其在晶圆处理方面具有高度灵活性，能够高效地处理单个 ø8 英寸晶圆，或同时处理三个 ø4 英寸晶圆，

• 低损伤等离子体增强原子层沉积（ALD）与热原子层沉积（ALD）结合在同一沉积腔室中。
• 原子层级的均匀薄膜控制。
• 高深宽比结构的共形沉积。
• 卓越的平面内均匀性和重复性。
• 腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。

• 氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。
• 电子设备的闸门绝缘子
• 半导体、有机EL等的钝化膜。
• 半导体激光器的反射面
• 在MEMS等3D结构上的沉积
• 石墨烯上的沉积
• 碳纳米管保护膜粉末涂层