设备ALD设备 AD-10P

AD-10P 开放式负载原子层沉积 (ALD) 系统代表了薄膜沉积技术的一项重大进步，其核心优势在于能够实现对薄膜厚度的原子级精确控制。该系统集成了热 ALD 和等离子体增强 ALD 两种沉积模式，从而能够沉积多种材料，包括氧化物、氮化物以及高性能导电薄膜。 该系统通过精密的交替引入有机金属前体和反应物至反应腔室，确保沉积过程完全通过表面反应进行。这种机制不仅实现了对薄膜厚度的卓越控制，还保证了卓越的晶圆内均匀性和优异的阶梯覆盖能力。此外，系统采用的脉冲前体输送技术，其脉冲持续时间短至数百毫秒甚至更短，显著地减少了前体材料的损耗，并极大地提升了沉积效率。 AD-10P 系统在兼容性方面也表现出色，能够灵活地处理单个 ⌀8 英寸晶圆或同时处理三个 ⌀4 英寸晶圆，满足不同生产规模的需求。

• 原子层级的均匀薄膜控制。
• 高深宽比结构的共形沉积。
• 卓越的平面内均匀性和重复性。
• 腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。

• 电子设备的栅绝缘体。
• 半导体、有机EL等的钝化膜。
• 半导体激光器的反射面。
• MEMS等三维结构上的沉积。