深硅蚀刻设备 RIE-800BCT
行业领先的性能

概要

RIE-800BCT是使用电感耦合等离子体作为放电形式的生产型硅DRIE系统。

这种高性能系统能够进行高纵横比处理(超过100)和低扇形处理,同时保持高蚀刻率和选择性。

主要特点和优点

  • MEMS量产中的高速蚀刻
  • 量产中的高宽比蚀刻
  • 扇贝的控制/无扇贝的非波西法流程
  • 倾斜控制,均匀性好
  • 用于绝缘体硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脉冲。
  • 扩展流程库

应用

  • 制造MEMS(加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等)。
  • 喷墨打印头的加工
  • 形成通硅孔(TSV)
  • 功率器件(超结MOSFET)的制造。
  • 等离子切割